好的中走絲，在小量程MEMS電容式壓力傳感器信號讀取方面，日本東北大學的Tomio Nagata等人最早實現(xiàn)了采用數(shù)字芯片來補償傳感器芯片的熱靈敏度漂移。他們研制的傳感器可以靈敏檢測0～200 mmH2O(0～1.96 kPa)范圍內的壓力。

好的中走絲，然而，靈敏度的提高會造成傳感器溫度特性的下降。為了保持傳感器在小量程壓力測量時的準確度，他們研制了一種全新的調整和補償技術。該技術首先利用轉換器將電容值轉變?yōu)橄鄳念l率值，然后利用研發(fā)的IC芯片對零點溫度系數(shù)和靈敏度溫度系數(shù)進行補償，將滿量程（FFS）輸出值進行調整，最后輸出數(shù)字信號。

好的中走絲，這一調整和補償技術對提高小量程壓力測量時傳感器溫度特性的提高很有幫助。傳感器芯片的熱靈敏度漂移為0.026%F.S./℃，零點溫度漂移為0.013%F.S./℃。當電容空腔采用濕法腐蝕二氧化硅層形成時，其側壁形狀為拋物線型(近似球形)。